반응형 BSPDN1 BSPDN (파운드리 전략, 수율 리스크) 2나노미터 이하 공정에 진입하면서 칩 한 장에서 소비하는 전력의 최대 30% 이상이 전력선 저항으로 그냥 날아간다는 분석이 나왔습니다. 저는 이 수치를 처음 봤을 때 솔직히 좀 황당했습니다. 트랜지스터를 아무리 작게 만들어도, 전력을 공급하는 배관이 엉망이면 결국 밑 빠진 독이 되는 셈이니까요. 그 문제를 정면으로 겨냥한 기술이 바로 후면 전력 공급 네트워크(BSPDN)입니다.파운드리 전략: 세 회사가 같은 기술에서 전혀 다른 판단을 내린 이유BSPDN, 즉 후면 전력 공급 네트워크(Backside Power Delivery Network)는 개념 자체는 단순합니다. 쉽게 말해, 기존에는 트랜지스터가 있는 웨이퍼 앞면에 신호선과 전력선을 함께 구겨 넣었는데, 이 전력선만 떼어내서 칩 뒷면으로 옮기는 구조.. 2026. 6. 28. 이전 1 다음 반응형
